银河微电：拟10.78亿元投资高端核心器件产业化及创新能力建设项目

银河微电晚间公告，公司为提高公司集成电路分立器件产品的生产加工制造能力，扩大集成电路分立器件产品的生产规模，拟以自有或自筹资金10.78亿元投资实施“高端核心器件产业化及创新能力建设项目”（以下简称“项目”）。该项目所涉产品，是指采用SGT/SJ、IGBT、SiC/GaN等先进芯片结构，通过AEC-Q101等高可靠性认证，面向新能源汽车、储能、工业等高门槛场景，具备低损耗、高抗ESD/雪崩能力、长寿命的功率分立器件与第三代半导体器件；主要包含SGT MOS、超结MOS、IGBT及模块、SiC器件、IPM模块、车规TVS/ESD等，区别于传统消费类小信号二极管、普通低压平面器件。

公司表示：该项目实施符合公司整体发展战略，其实施将有助于公司丰富产品系列，扩大公司产品市场覆盖范围，为公司创建新的营收增长点，提高公司盈利能力和竞争力，同时有利于公司提升产品供给能力和系统方案交付能力，深化与上下游企业的合作关系，巩固和提升市场地位，对促进公司长期稳定发展具有重要意义。